序号

项目研究方向

招聘人数

专业方向

候选人基本条件

1

超导量子器件（器件工艺开发）
（G201&202)

3

半导体、微电子

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有较强的微纳加工基础，熟练掌握版图设计、紫外光刻、电子束曝光、薄膜生长、刻蚀、封装等工艺，有硅基和III-V半导体器件、超导电子器件的加工经验者优先；
3、沟通能力强，具有合作精神，能够独立承担器件研究和工艺开发工作；
4、有良好的英文阅读和写作能力。

2

超导量子器件（量子器件设计及测控）
（G201&202)

7

物理、微电子、微波工程、电子信息技术

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有固态量子器件设计、测控和分析经验者优先；
3、深入理解量子电动力学或量子光学，了解开放量子系统理论，熟悉低温测试系统。

3

超导量子器件（材料微波损耗测试）
（G201&202)

3

物理、电子信息技术、材料、微波

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具备三年以上微波工程、微波器件设计、器件电磁场模拟及测试相关工作经历；
3、深入理解材料微波损耗机理；
4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先

4

超导量子器件（固态量子芯片退相干微观机理研究）
（G201&202)

2

物理、电子信息技术、材料、微波

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具备三年以上材料微观物性研究、及测试相关工作经历，有较强的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、电子自旋共振表征、钻石NV 色心探针表征、Scanning SQUID表征等；
3、深入理解材料微波损耗机理；
4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先

5

高精度动态三维智能视觉芯片与系统核心技术开发

（G203）

6

计算机、通信、自动化等相关专业

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、有较好数学基础，较强的图像处理算法设计能力；

3、在计算成像、图像处理等领域具有相关研究成果或开发经验；

4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；

5、了解双目、结构光、ToF等一种或者多种技术者优先。

6

MOCVD/MBE外延与器件验证

（G2101）

3

半导体材料生长、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学、材料学、物理学、真空技术等相关专业；

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE设备研发制造及生长技术；

3、根据外延材料测试与下游器件的结果反馈，进行外延工艺的优化与改进；

4、对MBE外延产品分析检测，数据分析，形成报告和技术文档；

5、熟悉外延产品知识和相关应用，熟练操作所负责的仪器和软件，能独立设计实验和分析实验结果；

6、熟悉了解外延片各类表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同时根据要求的材料结构研发和编写外延生长工艺

7

基于超表面的光谱调制结构设计

（G2102）

1

材料、电子、微电、精仪等

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、微电子、电子工程、半导体物理、材料等相关专业硕士及以上学历，研究生阶段从事过光子晶体、超材料方面的研究。

3、有较好的数理基础，能深刻理解微纳结构与电磁波的相互作用，熟练使用FDTD、Rsoft、RCWA等进行电磁波仿真。

4、根据公司业务需求，完成微纳结构的仿真设计，配合测试结果优化结构设计。

5、熟练使用Tanner Tool或klayout等版图设计软件者优先，有一定的代码能力者优先

8

快速高精度光谱重建算法研究

(G2102)

1

材料、电子、微电、精仪等

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、数学、计算机等相关专业，具备扎实的数学基础和数据处理经验；

3、熟悉并可以应用多种机器学习模型。包括但不限于线性模型、树模型、概率图模型、聚类模型、深度学

习模型、多任务学习、迁移学习、强化学习、整数规划算法、VRP算法（其中若干种即可）；

4、熟练掌握python和C++;

5、有算法部署经验者优先;

6、责任心强，善于学习新事物，有较强的分析问题和解决问题的能力。

9

融合人工智能的材料结构搜索策略和方法

（G2103）

1

计算材料学&人工智能

1、    国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、熟悉C++, Python等；熟悉主流的开源深度学习框架如PyTorch, TensorFlow等；如有遗传算法、粒子群算法经验更佳。

10

高精度超高带宽量子比特读取技术
（G2113)

1

物理电子学/电子学相关专业

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具备高速模拟电路设计、FPGA程序设计经验

11

退役动力电池材料回收与再生
（G2116）

4

选矿，湿法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有机合成，生物合成专业

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；

2、具备深厚的电化学/锂电材料合成/测控、智能识别/选矿/湿法冶金的理论知识；

3、能够独立开展研究平台搭建和开展课题研究；

12

晶圆级微透镜阵列光学芯片
（G2118)

1

自动化

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具有3年以上微纳加工（光刻、刻蚀、SEM检测）经验者优先;                                                                         3、 精通衍射光学，微纳光子学理论基础和设计技巧，具有实际设计的成功经验;
4、熟悉相关的微纳加工技术，了解相关的核心设备型号和操作规程，并了解制作过程所需材料;
5、精通光刻、纳米压印、电镀、印刷、精通薄膜等技术，并能熟练使用日常分析及检测仪器。

13

晶圆级微透镜阵列光学芯片
（G2118)

1

微电子与固体电子学

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、至少熟练掌握Matlab编程语言，简历必须包含以Matlab语言撰写的代码内容，熟练掌握C/C++或Python等编程语言者更佳；
3、有扎实的傅里叶变换、概率论、线性代数功底（相关课程成绩优秀）；
4、熟悉数字信号处理、统计信号处理、阵列信号处理、雷达者优先考虑。

14

连续喷墨打印技术研究
（G2120)

6

电子工程、自动化、机械工程，材料，电子，微电，物理

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具有MEMS器件、PZT压电薄膜制备、传感器件（Sensor）、制动器件（Actuator）或其他半导体器件研究基础和经验；                                            
3、熟悉常见的MEMS芯片制备工艺：光刻、深硅刻蚀、键合等；                                                      
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。

15

OLED/QLED显示材料的设计合成与开发
（G2120)

6

有机/物理化学/高分子化学；微电；材料；光学

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有扎实的有机分子材料设计与合成的基础和经验；
3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有机光电器件的研究经历；
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。

16

半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究
（微聚焦电子束（10微米级别、动态扫描）、光电子调制检测）
（G2121)

2

真空电子学

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有较好物理基础；
3、在磁偏转电子束、电子透镜等领域具有相关研究成果或开发经验；
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；
5、有XPS使用维护经验者优先。

17

半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究
（X射线单色化调制）
（G2121)

1

光学

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有较好光学基础；
3、在光束聚焦等领域具有相关研究成果或开发经验；
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；

18

半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究
（自动化控制）
（G2121)

1

自动化

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有较好自动化基础；
3、在仪器自动化领域具有相关研究成果或开发经验；
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；

19

半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究
（数据分析反馈）
（G2121)

1

计算机，人工智能

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、有较好计算机基础，较强的算法设计能力；
3、在大数据、人工智能等领域具有相关研究成果或开发经验；
4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；

20

AlGaN深紫外LED外延生长、AlGaN深紫外LED器件工艺
（G2122）

4

半导体材料与器件、光电子

1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；
2、具有化合物半导体材料外延生长、光电子或功率电子器件的研究背景；
3、了解相关领域国内外最新研究进展，具有扎实的专业基础知识和实验技能、及较强的英语读写能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩；
4、具有较强的团队合作精神、责任心和独立开展工作的能力，动手能力强，认真细心，踏实肯干，善于沟通，有意长期从事氮化物半导体材料与光电子器件的研发及产业化工作；
5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生长或芯片工艺研发经验者优先考虑。